誠(chéng)峰智造晶圓加工專(zhuān)用plasma設(shè)備表面處理中的應(yīng)用：
       晶圓加工是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中資金投入較大的一部分，plasma設(shè)備目前在硅片代工中應(yīng)用廣泛，誠(chéng)峰智造也有專(zhuān)用晶圓加工等離子體設(shè)備。
       中國(guó)晶圓代工部分在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上投入了大量資金。具體地說(shuō)，晶圓代工就是在硅晶圓上制造電路和電子元器件，這一步對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)，技術(shù)比較復(fù)雜，而且投資領(lǐng)域比較廣。plasma設(shè)備主要用于去除晶片表面的微粒，徹底去除光刻膠和其他有機(jī)化合物，活化及粗化晶片表面，提高晶圓表面的浸潤(rùn)性能等，等離子體設(shè)備在晶片表面處理方面的處理效果明顯，目前在晶圓加工中廣泛使用。
       光刻晶圓工藝是整個(gè)晶圓代工過(guò)程中的一個(gè)重要工序。該方法的原理是將一層高光敏感度的阻光層覆蓋在晶圓片的表面，隨后將自然光穿透掩模照射到晶圓片表面，被自然光照射的阻光劑就會(huì)起反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)電路的移動(dòng)。

       晶圓刻蝕：就是把晶圓表面區(qū)域用光阻劑顯露出來(lái)的過(guò)程。它主要分為兩種：濕式蝕刻和干式。簡(jiǎn)而言之，濕式刻蝕僅限于2微米的圖形尺寸，而干式刻蝕則用于更為精細(xì)、要求更高的電路。
晶圓級(jí)封裝等離子體處理是一種干式清洗方式，具有一致性好、可控制等特點(diǎn)，目前，plasma設(shè)備已逐步在光刻和刻蝕前后道工藝中推廣應(yīng)用。
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