工作壓力對等離子清潔效果的干擾:
       工作壓力是等離子清潔的重要參數(shù)之一。壓力的提升意味著等離子密度的提升和粒子平均能量的減低?；瘜W反應(yīng)主導的等離子密度的提升可以顯著提高等離子系統(tǒng)的清潔速度，而物理轟擊主導的等離子清潔系統(tǒng)效果并不明顯。此外，壓力的變化可能會致使等離子清潔反應(yīng)機制的變化。例如，硅片刻蝕過程中使用的CF4/O2等離子在壓力較低時發(fā)揮主導作用，伴隨著壓力的提升，化學刻蝕不斷增強，并逐漸發(fā)揮主導作用。
電源功率和工作頻率對等離子清潔效果的干擾:

       電源的輸出功率對等離子的所有參數(shù)都有干擾，如電極溫度、等離子產(chǎn)生的自偏壓和清潔效率。伴隨著輸出功率的提升，等離子的清潔速度逐漸提升，并逐漸穩(wěn)定在峰值，而自偏壓則伴隨著輸出功率的提升而提升。由于輸出功率范圍基本恒定，工作頻率是干擾等離子自偏壓的關(guān)鍵參數(shù)，伴隨著工作頻率的提升，自偏壓逐漸下降。此外，伴隨著工作頻率的提升，等離子中電子的密度會逐漸提升，粒子的平均能量也會逐漸下降。
       運轉(zhuǎn)的氣體的選擇對等離子清潔效果的干擾是等離子清潔工藝技術(shù)的關(guān)鍵步驟。雖然大多數(shù)的氣體或的氣體混合物可以去除污染物，但清潔速度可以相距好幾倍甚至數(shù)十倍。