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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

支持材料 測(cè)試、提供設(shè)備 試機(jī)

20年專注等離子清洗機(jī)研發(fā)生產(chǎn)廠家

半導(dǎo)體等離子蝕刻機(jī)在真空環(huán)境下的原理優(yōu)勢(shì)

半導(dǎo)體等離子蝕刻機(jī)在真空環(huán)境下的原理優(yōu)勢(shì):
       在光刻技術(shù)中,半導(dǎo)體表面會(huì)出現(xiàn)殘膠,這就需要一個(gè)好的方法進(jìn)行處理,將殘膠清除的同時(shí)不會(huì)對(duì)產(chǎn)品造成損傷,等離子蝕刻機(jī)就是這樣的一個(gè)設(shè)備,通過(guò)等離子體進(jìn)行處理,效果非常不錯(cuò)。
等離子刻蝕機(jī)去膠原理,1種干式的去膠方式進(jìn)行產(chǎn)品放入設(shè)備中,通過(guò)真空泵抽空氣體,使等離子刻蝕機(jī)保持真空狀態(tài),這時(shí)候?qū)⒐に嚉怏w放入設(shè)備中進(jìn)行反應(yīng),產(chǎn)生活性等離子體,與表面的殘膠發(fā)生反應(yīng);光刻膠的基本成分是碳?xì)浠衔铮诜磻?yīng)中,這些化合物會(huì)消失,產(chǎn)生co、CO2、水等。這些成分會(huì)被真空泵抽走,表面清潔就完成了。

半導(dǎo)體等離子蝕刻機(jī)

       半導(dǎo)體等離子蝕刻機(jī)去膠優(yōu)勢(shì)在過(guò)去,很多工廠都采用的濕式處理法,但是隨著技術(shù)不斷變革,產(chǎn)品不斷升級(jí),處理要求也隨之升級(jí)干式法逐步取代了濕式處理。
       等離子干刻機(jī)的去膠只需氣體的參與,無(wú)需化學(xué)試劑的浸泡,無(wú)需烘干,整個(gè)處理環(huán)保干凈,清洗過(guò)程可控性非常強(qiáng),而且不會(huì)對(duì)周圍環(huán)境以及人員造成不良的影響;這種工藝還能夠降低成本,提高產(chǎn)品的良品率以及生產(chǎn)效率,所以設(shè)備在半導(dǎo)體制程的各類方面都廣泛的得到了應(yīng)用。
       殘膠去除在半導(dǎo)體制造過(guò)程中非常重要。清潔是否干凈徹底,表面有無(wú)破損等。都會(huì)影響后續(xù)的工藝,進(jìn)而影響整體制造和性能,對(duì)良品率有重要影響。可見一個(gè)好的處理工藝,好的設(shè)備是可以影響產(chǎn)品的,半導(dǎo)體等離子蝕刻機(jī)是可以提高公司的利潤(rùn),降低成本的。

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