子絕緣處理和半導(dǎo)體器件中crf等離子體表面處理儀的應(yīng)用:
一、絕緣處理—crf等離子體表面處理儀潤飾硅膠表層，增強(qiáng)了材料的兼容性
    等離子體表面處理儀設(shè)備作業(yè)時，電荷首先在半導(dǎo)體與絕緣接觸面上積累和傳遞，為了保證柵電極與有機(jī)化學(xué)半導(dǎo)體之間的柵極漏電流較小，要求絕緣數(shù)據(jù)有較高的電阻，也就是要求絕緣性較好?，F(xiàn)階段常用的絕緣數(shù)據(jù)首先是無機(jī)絕緣，如氧化層等，在此期間，二氧化硅是一般用在有機(jī)化學(xué)場效應(yīng)晶體管中的絕緣，但是由于二氧化硅表層存在某些缺陷，加之其與有機(jī)化學(xué)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的兼容性較差。因此需要用等離子體對硅片表層進(jìn)行潤飾，經(jīng)測試，頻率13.56MHz的真空系列處理效果佳。

二、有機(jī)化學(xué)半導(dǎo)體器件—crf等離子體表面處理儀活性改性處理，增強(qiáng)擴(kuò)散系數(shù)
    現(xiàn)階段，有機(jī)化學(xué)半導(dǎo)體器件主要是分成兩種：小分子材料和聚合物材料。有機(jī)化學(xué)半導(dǎo)體按其溝道自由電子視點的不同可分成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，大部分的自由電子是空穴構(gòu)造，而N型半導(dǎo)體的自由電子是電子結(jié)構(gòu)。除必要的穩(wěn)定性外，P型半導(dǎo)體還具備下列條件：
(1)HOMO能級高，能與電極形成歐姆接觸，使空穴能順利注入；
(2)有較強(qiáng)的給電子能力。
常見的有:稠環(huán)芳烴，如五苯(Pentacene)、紅熒烯(Rubrene)；聚合物，如聚合物(3-己基噻命)，可以通過等離子體表層處理器激活和修飾有機(jī)化學(xué)半導(dǎo)體。
選用等離子體表面處理儀潤飾絕緣表層，使有機(jī)材料的堆積更為勻稱、平整，從而大大提高了器件的擴(kuò)散系數(shù)，改進(jìn)了器件的功能，等離體表面處理儀對有機(jī)化學(xué)半導(dǎo)體器件的活性、改性作用，使器件的性能得到明顯改善。