CRF等離子表面處理機清洗雜質(zhì)有哪些分類：
       半導體制造需要一些有機物和無機物的參與。此外，由于工藝總是在潔凈室進行，半導體芯片不可避免地會被各種雜質(zhì)污染。根據(jù)污染物的來源和性質(zhì)，大致可分為顆粒物、有機物、金屬離子和氧化物四類。

一、顆粒物
       顆粒主要是聚合物、光耐腐蝕劑和腐蝕雜質(zhì)。該污染物通常被吸附在芯片表面，影響設(shè)備的幾何形狀和光刻過程中的電氣參數(shù)。這種去除污染物的方法主要是通過物理或化學方法清潔顆粒，逐漸減少顆粒與芯片表面的接觸面積，然后去除顆粒。
二、有機物：
       皮膚油、細菌、發(fā)動機油、真空潤滑脂、光刻膠、清潔溶劑等有機雜質(zhì)來源廣泛。這種污染物通常在晶圓表面形成有機膜，防止清潔液到達晶圓表面，導致晶圓表面清潔不徹底，從而保持晶圓表面的金屬雜質(zhì)等污染物完好無損。硫酸和過氧化氫通常用于去除這些污染物的初始階段。
三.金屬
      半導體技術(shù)中常見的金屬雜質(zhì)包括鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。這些雜質(zhì)的來源主要包括半導體晶圓加工過程中的各種容器、管道、化學試劑和金屬污染。這些雜質(zhì)通常通過化學方法去除。由各種試劑和化學物質(zhì)制成的清洗液與金屬離子發(fā)生反應(yīng)，形成與芯片表面分離的金屬離子絡(luò)合物。
四、氧化物：
        暴露在O2和H2O中的半導體芯片表面形成天然氧化物層。這種氧化膜不僅阻礙了半導體制造的許多步驟，而且還含有一些金屬雜質(zhì)，可以在一定條件下轉(zhuǎn)移到芯片上，形成電缺陷。這種氧化膜通常通過浸泡在稀氫氟酸中來去除。
       在半導體生產(chǎn)過程中，幾乎每個過程都需要清洗，晶圓清洗的質(zhì)量嚴重影響了設(shè)備的性能。由于晶圓清洗是半導體制造過程中非常重要和頻繁的一步，其工藝質(zhì)量將直接影響設(shè)備的成品率、性能和可靠性，國內(nèi)外主要公司和研究機構(gòu)都在不斷研究清洗過程。CRF等離子表面處理機清洗作為一種先進的干洗技術(shù)，具有綠色、環(huán)保、生態(tài)、環(huán)保的特點。隨著微電子工業(yè)的快速發(fā)展，CRF等離子表面處理機在半導體工業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。